很多工程師都在問，MICC跟傳統(tǒng)的
貼片鉭電容相比，陶瓷的ESR更低，性能更好，那會不會貼片鉭電容容將來會完全被陶瓷電容所替代。
1. 高容值電容（目前這個值暫定為100UF,日后這個值會提高）選用TDK貼片鉭電容性價比、技術(shù)可靠性等方面都比陶瓷電容優(yōu)勢明顯，所以這部分貼片鉭電容容有存在的理由。
2. 高工作電壓的電容（目前定為DC 50V），選用陶瓷電容會非常有優(yōu)勢，因為貼片鉭電容容的電壓目前最高只作到63V，而且抗浪涌能力非常差。但陶瓷電容目前可以作到10KV級的了。
3. 工作溫度變化范圍大的情況下，貼片鉭電容容比陶瓷電容更有優(yōu)勢，特別是大容值的陶瓷電容，單層的極片非常薄，溫度相關(guān)太大就會造成斷裂，嚴(yán)重影響陶瓷電容的性能。
4. 同樣容量和電壓的情況下，貼片鉭電容容可以作到更小的體積，這點在數(shù)碼和IT產(chǎn)品上面顯得尤為重要，因為現(xiàn)在的產(chǎn)品都在朝薄型化、微型化發(fā)展。
5. 振動性很強的工作環(huán)境我們也不建議使用陶瓷電容，因為這會導(dǎo)致陶瓷電容內(nèi)部的極層斷裂，最終完全失效。
現(xiàn)在陶瓷技術(shù)的發(fā)展確實是比較快，像現(xiàn)在6.3V陶瓷技術(shù)都可以做到100UF甚至220UF都有，工程上完全做得到。這兩種產(chǎn)品性能參數(shù)上還是有差別，我先從外形尺寸上講，陶瓷電容尺寸比較大，而且高容產(chǎn)品的話，容值大、層數(shù)就足夠得多，這就意味這你所使用這個環(huán)境要有適當(dāng)?shù)目紤]，剛才我講到，如果有用在室外溫差可能有冷熱沖擊的話，你就要注意，另外它的尺寸沒有辦法做得很小，像AVX鉭電容100UF可以做到0.8，在手機上要用100UF的話，一定不可能選用陶瓷電容器，單價、性能在等效串聯(lián)上面做得比較低，可能客戶覺得這個是不需要，浪費。貼片鉭電容完全可以做得到，另外陶瓷電容器的技術(shù)，現(xiàn)在是發(fā)展很快，但是要做高容的還是有困難，比如330UF這一類的，完全做不到。AVX貼片鉭電容單顆可以做到2200UF，如果你選用10UF的話，你完全可以選用
陶瓷電容器，當(dāng)你選擇330的話，你一定選用貼片鉭電容，不是陶瓷電容器。貼片鉭電容技術(shù)也在發(fā)展，一個是往高容發(fā)展，一個是往小尺寸發(fā)展。高振動上面，貼片鉭電容就非常可靠，另外耐高溫環(huán)境下，貼片鉭電容也相對比較可靠。
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鉭電容 陶瓷電容 二、三極管 晶體振蕩器
