電子技術(shù)的飛速發(fā)展要求芯片高頻化和電路板高密度組裝，推動(dòng)了低Res、高容量、耐高紋波電流的電容器發(fā)展。由于MnO2電阻率較低(0.1 Ω cm)，所以傳統(tǒng)的MnO2型鉭電解電容器Res大于100 mΩ，致使其高頻性能較差。使用新型陰極材料降低電容器的Res是提高
鉭電容高頻性能的重要途徑之一。PEDT導(dǎo)電聚合物熱穩(wěn)定性好、電阻率低，因此在電容器上的應(yīng)用成為目前鉭電解電容器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
通常采用電化學(xué)法和化學(xué)法在介質(zhì)氧化膜表面被覆導(dǎo)電聚合物。采用電化學(xué)方法進(jìn)行聚合物的沉積需要高精度的電極和伺服設(shè)備，而化學(xué)聚合法制備聚合物陰極材料對(duì)設(shè)備要求較低，因此該方法成為電容器制造商的首選。
使用化學(xué)聚合法在鉭氧化物表面被覆聚合物的工藝又可細(xì)分為一步法和二步法。其中一步法是浸漬氧化劑和單體預(yù)混合溶液來(lái)完成聚合沉積的工藝過(guò)程，二步法是先浸漬氧化劑(或單體)后浸漬單體(或氧化劑)來(lái)完成聚合物沉積的工藝過(guò)程，兩種工藝方法各有優(yōu)劣。
一步法可以嚴(yán)格按照理想的化學(xué)反應(yīng)計(jì)量配制氧化劑和單體預(yù)混合液，這樣可以形成較理想的聚合物鏈，但是氧化劑和單體混合后就開(kāi)始進(jìn)行聚合反應(yīng)。隨著混合液中單體和氧化劑含量的提高，聚合反應(yīng)速率加快，盡管用冷卻方法并加入適量的阻聚劑可以降低其聚合反應(yīng)速度，延長(zhǎng)混合液的使用時(shí)間，但混合液有使用時(shí)限，用此法生產(chǎn)成本較高。
二步法在使用過(guò)程中由于材料在鉭芯子上吸附量的差異，造成浸漬的氧化劑或單體無(wú)法達(dá)到理想的化學(xué)計(jì)量比[r(PEDT：Fe3+)為2.3～2.5]，其反應(yīng)生成的聚合物鏈相對(duì)較差，由于氧化劑和單體沒(méi)有混合，兩者不會(huì)發(fā)生反應(yīng)，所以溶液不存在使用時(shí)限問(wèn)題，因此可以有效降低生產(chǎn)成本。
信息來(lái)自：
陶瓷電容 AVX鉭電容
